قامت الباحثة فاتن ماهر محمد بزور، الطالبة  في كلية الدراسات العليا بجامعة النجاح الوطنية، يوم الخميس الموافق 2/6/2016 بمناقشة اطروحة الماجستير بعنوان "تأثير الضغط ودرجة الحرارة على خواص نقطة كمية منفردة من GaAs في مجال مغناطيسي".

في هذا العمل تم حساب طاقة المستويات لنقطة كمية من (GaAs ) تحت تأثير الضغط الخارجي ودرجة الحرارة والمجال المغناطيسي. تم الحصول على القيم المميزة من خلال حل دالة هاملتون لزوج من الالكترونات في نقطة كمية باستخدام طريقة القطر (Diagonalization ). اظهرت النتائج المحسوبة في هذا العمل ان طاقة المستويات للنقطة الكمية تعتمد بشدة على الضغط ودرجة الحرارة. وقد وجدنا أن طاقة المستويات تزداد بزيادة الضغط عند ثبات درجة الحرارة والمجال المغناطيسي وأن طاقة المستويات تقل بزيادة درجة الحرارة وثبات الضغط والمجال المغناطيسي. وقد قمنا أيضا بحساب منحنى الطور الأحادي -الثلاثي للنقطة الكمية . بالاضافة إلى ذلك ،قمنا بالتحقق من تأثير الضغط على طاقة الصرف (exchange energy ) لنقطة كمية في مجال مغناطيسي. وتظهر المقارنة أن نتائجنا على اتفاق جيد جدا مع النتائج المنشورة.

وتكونت لجنة المناقشة من أ.د. محمد السعيد مشرفاً ورئيساً، و د. خالد عليوي مشرفاً ثانياً، أ.د. عاطف قصراوي ممتحناً خارجياً من الجامعة العربية الامريكية، و أ.د. غسان سفارين ممتحناً داخلياً، وفي ختام المناقشة أوصت اللجنة بنجاح الطالبة ومنحها درجة الماجستير بعد اجراء التعديلات.